Indíum arseníð

Indíumarseníð Lýsing

Indíum arseníð, InAs, eða indíum mónóarseníð, er þröngt bandbil hálfleiðari sem samanstendur af indíum og arseni. Það hefur útlit gráa teningskristalla með bræðslumark 942 gráður. Það er svipað að eiginleikum og gallíumarseníð og er beint bandgap efni, með bandgap upp á 0.35 eV við stofuhita.

Indíumarseníð er þröngt bandbil hálfleiðari, sem gerir það að góðu efni fyrir rafeindatæki sem starfa á mjög miklum hraða (og litlu afli) og fyrir innrauða skynjara.

Indíumarseníð er einnig vel þekkt fyrir mikla rafeindahreyfanleika og er mikið notað sem terahertz geislunargjafi þar sem það er sterkur Photo-Dember sendir.

Indium Arsenide Umsóknir og tengdar atvinnugreinar

● Innrauðir skynjarar

● Terahertz geislunargjafi

● Hálfleiðari

● Rafeindatækni

● Rannsóknir og rannsóknarstofa

Efnaauðkenni

Eiginleikar indíumarseníðs (fræðilega)

Indium Arsenide Heilsu- og öryggisupplýsingar

maq per Qat: indium arsenide, Kína, birgjar, kaupa, til sölu, framleitt í Kína