Indíum fosfíð

Indíum fosfíð Lýsing

Indíumfosfíð (InP) er tvíundir hálfleiðari sem samanstendur af indíum og fosfór. Það hefur andlitsmiðjaða kúbika ("zincblende") kristalbyggingu, eins og GaAs og flestar III-V hálfleiðarana.

InP er hægt að búa til úr hvarfi hvíts fosfórs og indíumjoðíðs við 400 gráður, einnig með beinni blöndu af hreinsuðu frumefnunum við háan hita og þrýsting, eða með varma niðurbroti blöndu af tríalkýl indíum efnasambandi og fosfíni.

InP er notað í rafeindatækni með miklum krafti og hátíðni vegna betri rafeindahraða miðað við algengari hálfleiðara sílikon og gallíumarseníð. Það er með beinu bandbili, sem gerir það gagnlegt fyrir ljóseindatækni eins og leysidíóða. InP er einnig notað sem hvarfefni fyrir sjóntækjabúnað sem byggir á epitaxial indium gallium arseníði.

Indíumfosfíðforrit og tengdar atvinnugreinar

● Optolectronic hluti

● Háhraða rafeindatækni

● Ljósvökvi

● Keramik

● Sólarorka

● Rannsóknir og rannsóknarstofa

Efnaauðkenni

Indíum fosfíð eiginleikar (fræðilega)

maq per Qat: indium phosphide, Kína, birgjar, kaupa, til sölu, framleitt í Kína